Thông tin chi tiết:
Thiết bị phân tích độ dày lớp phủ theo phương pháp nhiễu xạ huỳnh quang tia X iEDX-150T
Thiết bị thử nghiệm độc tố trong đồ chơi trẻ em, đồ trang sức, sản phẩm điện – điện tử, đất, dầu thô, các sản phẩm trong ngành công nghiệp điện tử và các ngành công nghiệp khác..
A. Bộ đếm cân xứng
– Các lớp phủ phổ biến, Zn/Ni, …
B. Đi-ốt Si-Pin
– Các lớp phủ phổ biến, phân tích Rh, Pb/Ag, chất lỏng
C. Tùy chọn
– Máy phân tích độ dày lớp phủ (RoHS/WEEE/ELV)
– Kiểm tra đánh giá Halogen free
Đặc điểm kỹ thuật
– Các phương pháp đo: Nhiễu xạ tia X
– Loại mẫu: Đa lớp, chất rắn/lỏng/bột
– Ống X quang: Bia W, 50kVp 1mA
– Bộ lọc: 1 bộ lọc
– Hệ thống đầu rò phát hiện: Đi-ốt Si-Pin (hệ thống Peltier), bộ đếm tỷ lệ
– Phân giải năng lượng: 149eV FWHM ở Mn Ka
– Nguyên tố có thể phát hiện: Al(13) ~ U(92)
– Ống chuẩn trực: 1 ống chuẩn trực (0.1, 0.2, 0.4, 0.5, 1mm)
– Ngôn ngữ ứng dụng: Hàn Quốc/Anh/Trung Quốc
– Phương pháp phân tích: FP/đường cong hiệu chuẩn, hấp thu hoàn toàn, phát huỳnh quang
– Giám sát mẫu: Camera CCD
– Hệ thống điều khiển: Desktop, giao tiếp USB
– Kích thước khoang mẫu: 500 x 450 x 185 mm (W x D x H)
– Khoảng cách di chuyển mẫu: 200 x 230 x 150 mm (X x Y x Z)
– Kích thước: 526 x 637 x 484 mm (W x D x H)
– Nguồn: 110/220VAC 50/60Hz
Comments are closed.